過剰キャリア減衰曲線に現れる遅い成分の温度依存性からのトラップパラメータの導出(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))

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概要

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光導電減衰法によるキャリアライフタイム測定では、過剰キャリア密度減衰曲線の後半部分に遅い成分が顕著に表れることがある。これは多くの場合、少数キャリアが少数キャリアトラップに捕獲され、一方過剰多数キャリアがそのトラップに捕獲されずバンドに残るために生ずる。温度を変化させてこの遅い減衰成分の挙動を測定することで、原因となっているトラップの特性を評価することが原理的に可能である。ただし、トラップが中性領域にありキャリアの捕獲、放出の両方が同時に生じるため、過渡容量特性測定などと比べより複雑で注意深い解析・考察が必要になる。本論文では4H-SiCを例に取り、4つの典型的な場合を設定して過剰キャリア減衰の数値計算を行い、減衰曲線からトラップの特性を導く方法を考察する。
2006-05-11

論文 | ランダム

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