二段階気相法によるGaN/AlN 2層構造粒子の合成(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)

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概要

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キャリア局在構造を有する新しい蛍光体粒子の作製を目指し、二段階気相法を用いてAlNとGaNを組み合わせた2層構造粒子の作製を試みた。始めに一段目の炉において、Arキャリアガス中でAlを蒸発させ、N_2ガスと反応させることによりAlN粒子を作製した。この過程では、反応炉内のガス滞留時間とN_2分圧の積を増加させるほど、窒化反応が促進することを確認した。このAlN粒子を成長核とし、二段目の炉においてGaClとNH_3との反応によりGaN層を形成した。得られた粒子は、AlN結晶核と比べて粒径が増大し、より結晶面が発達した形状となった。また、PL測定においてGaNに特徴的なスペクトルを観測した。
社団法人電子情報通信学会の論文
2006-01-20

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