シリコン超接合デバイス
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概要
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シリコン多数キャリヤ型パワー半導体デバイスにおいて,オン抵抗と耐圧とのトレードオフを劇的に改善できる超接合デバイスが脚光を浴びている.超接合デバイスは,従来デバイスのn^-ドリフト層を高不純物濃度で微細なp型領域とn型領域とを交互に多数配置した構造(超接合構造)で置き換えたデバイスであり,次世代デバイスとして期待されている.1990年代後半から理論的解析,デバイス開発が積極的に行われ,現在では従来デバイスの性能限界に対し600V耐圧の場合で約1/3の低オン抵抗を実現するまでに至っている.本論文では,この超接合デバイスの構造,原理,動作,開発動向について解説する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-11-01