Single-Crystalline CoSi_2 Layer Formation by Focused Ion Beam Synthesis

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概要

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• The effects of accumulated radiation damage which arise from the excessive current density employed during focused ion beam implantation are described. The dwell time during beam scanning significantly influences the focused ion beam synthesis of CoSi_2 in Si. At sufficiently low accumulated damage, single-crystalline CoSi_2 layers are obtained, similarly to conventional ion implantation. A procedure is described which enables the reduction of radiation damage induced by a focused ion beam to the level of conventional ion implantation. This is of importance for the formation of single-crystalline CoSi_2 layers.

• 社団法人応用物理学会の論文
• 1999-12-30

著者

• Hausmann Stephan

  Institut Fur Ionenstrahlphysik Und Materialforschung Forschungszentrum Rossendorf E.v.

• BISCHOFF Lothar

  Institut fur Ionenstrahlphysik und Materialforschung, Forschungszentrum Rossendorf e.V.

• TEICHERT Jochen

  Institut fur Ionenstrahlphysik und Materialforschung, Forschungszentrum Rossendorf e.V.

• VOELSKOW Matthias

  Institut fur Ionenstrahlphysik und Materialforschung, Forschungszentrum Rossendorf e.V.

• MOLLER Wolfhard

  Institut fur Ionenstrahlphysik und Materialforschung, Forschungszentrum Rossendorf e.V.

• Moller Wolfhard

  Institut Fur Ionenstrahlphysik Und Materialforschung Forschungszentrum Rossendorf E.v.

• Bischoff Lothar

  Institut Fur Ionenstrahlphysik Und Materialforschung Forschungszentrum Rossendorf E.v.

• Teichert Jochen

  Institut Fur Ionenstrahlphysik Und Materialforschung Forschungszentrum Rossendorf E.v.

• Voelskow M

  Forschungszentrum Rossendorf Dresden Deu

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