Electrical Characteristics and Reliability of Pt/Ti /Pt/Au Ohmic Contacts to p-Type GaAs
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概要
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The ohmic contacts to p-type GaAs formed by GaAs/Pt/Ti/Pt/Au systems were investigated. The specific contact resistance below 8×10^<-7>Ω・cm^2 was achieved when the interface Pt between GaAs and Ti/PL/Au was thicker than 50 Å, which is about one-fourth of the conventional Ti/Pt/Au contact. The activation energies of the initial degradation of the Pt/Ti/Pt/Au electrodes correspond to the reaction of GaAs and Pt to form PtAs_2. However, even after the initial degradation, Pt/Ti/Pt/Au with the thin Pt interface layer still shows lower contact resistivity. These systems are promising for practical p-tye ohmic contacts for AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors.
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1991-04-01
著者
-
Shikata Shin-ichi
Optoelectronics Laboratories Sumitomo Electric Industries Ltd.
-
Hayashi Hideki
Optoelectronics Laboratories Sumitomo Electric Industries Ltd.
-
Okada Hiroyuki
Optoelectronics Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd.
-
Okada Hiroyuki
Optoelectronics Laboratories Sumitomo Electric Industries Ltd.
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