Impact Ionization in InAlAs/InP Single Channel Heterojunction Field Effect Transistors

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概要

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• We report on experimental observation of impact ionization in InAlAs/InP heterojunction field effect transistors (HFET) with an InP channel. The I_g (V_<gs>)_<V<ds>> static characteristics and electroluminescence intensity are compared, exhibiting similar evolutions with bias conditions. These observations indicate that minority carriers (holes) are generated in the structure, through an impact ionization process. This process, unusual in InP channel FETs, is attributed to the staggered InAlAs/InP interface.

• 社団法人応用物理学会の論文
• 1999-05-15

著者

• Pelouard J‐l

  Laboratoire De Microstructures Et Microelectroniques (cnrs)

• Rao E

  Opto+-groupement D'interet Economique

• GAUTIER-LEVINE Astrid

  OPTO+-Groupement d'Interet Economique

• TEISSIER Roland

  Laboratoire de Microstructures et Microelectroniques (CNRS)

• NEZZARI Amar

  OPTO+-Groupement d'Interet Economique

• RAO Elchuri

  OPTO+-Groupement d'Interet Economique

• DECOBERT Jean

  OPTO+-Groupement d'Interet Economique

• PELOUARD Jean-Luc

  Laboratoire de Microstructures et Microelectroniques (CNRS)

• SCAVENNEC Andre

  OPTO+-Groupement d'Interet Economique

• Nezzari Amar

  Opto+-groupement D'interet Economique

• Decobert J

  Opto+-groupement D'interet Economique

• Scavennec Andre

  Opto+-groupement D'interet Economique

• Gautier-levine Astrid

  Opto+-groupement D'interet Economique

• RAO Elchuri

  OPTO+-Groupement d'Interet Economique

• DECOBERT Jean

  OPTO+-Groupement d'Interet Economique

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