PD-SOIの動的ボディ・バイアス制御を利用したブートストラップ型パス・トランジスタ方式(回路技術(一般, 超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
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概要
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本稿では, 論理回路の高速化と低消費電力化を両立するため, 低電源電圧動作に適した従来のブートストラップ型パス・トランジスタ方式に対してPD-SOIの動的ボディ・バイアスを適用する, Active Body-biasing Controlled (ABC)-Bootstrap PTL (Pass-Transistor Logic)を提案する.提案手法では, ブートストラップ回路によってトランジスタのボディへV_<DD>以上のフォワード・バイアスを印加する.さらに, パス・トランジスタのゲート電圧を高めるために, 従来のソース-ゲート間のカップリング容量C_<GS>のみならず, ソース-ボディ間のカップリング容量C_<S-body>も利用する点を特徴とする.提案手法を評価するため, XORゲートおよび4ビット加算器を設計し, 0.18μm PD-SOIプロセスでの実装, 0.5V電源電圧での動作を想定し, HSPICEによる回路シミュレーションを行った.シミュレーション結果より, 速度を一定とした場合でABC-Bootstrap PTLにより40%の電力削減効果が示された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-12-09
著者
-
沼 昌宏
神戸大学大学院工学研究科
-
沼 昌宏
神戸大学 工学部 電気電子工学科
-
前川 繁登
ルネサステクノロジ
-
飯島 正章
神戸大学大学院自然科学研究科
-
濱田 健司
神戸大学大学院自然科学研究科
-
濱田 健司
神戸大学
-
多田 章
ルネサステクノロジ
-
北村 雅之
神戸大学
-
飯島 正章
神戸大学
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