Deep UV SiNxハーフトーンマスクを用いた0.2μmコンタクトホールパターン形成

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概要

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• LSI高集積度化に伴い加工技術に対してより微細化が要求されている。例えば1Gbet DRAMクラスの加工においては、0.2μm以下のホールパターン形成が必要とされている。量産レベルを考慮すると光リソグラフィー、特にDeep UV(λ=248nm)を用いての微細加工技術開発が急務である。波長以下の加工を行う技術の中でハーフトーン位相シフトマスクは解像性、焦点余裕度(DOF)を改善する効果があり特にホールパターンに有効である。我々はSiNx単層ハーフトーン位相シフトマスクがi線及びDUVに対して有効であることを報告した。本論文では、ハーフトーン位相シフトマスク作成に関してSiNx膜のDeep UV露光耐性向上、及びレジストの現象プロセスでの0.2μmホールパターン特性改善について報告する。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1995-09-05

著者

• 川野 健二

  (株)東芝研究開発センターulsi研究所

• 川野 健二

  東芝

• 浅野 昌史

  (株)東芝研究開発センターULSI研究所

• 岩松 孝行

  (株)東芝研究開発センターULSI研究所

• 田中 聡

  (株)東芝研究開発センターULSI研究所

• 伊藤 信一

  (株)東芝研究開発センターULSI研究所

• 大西 簾伸

  (株)東芝研究開発センターULSI研究所

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