干渉分光信号の信号処理による半導体微細溝深さ測定シミュレーション
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概要
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先に、シリコン基板表面に掘られたトレンチを金属または誘電体と考え、これに2次元ガウスビームを照射した際の散乱特性を境界要素法を使って解析し、深さと溝幅の測定の限界を調べた。ここでは、トレンチを金属と仮定し、FFTを使ったケプストラム解析と観測角度を変化させることにより深さ測定が容易になることや、溝幅が狭くなるとE偏光では深さが少し深く測定されることを示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
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