EBテストシステムにおける保護膜付きVLSIの画質改善

概要

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電子ビームテスタを用いて、超LSIの設計評価・故障診断を的確に行うために、最終の保護膜付きの状態で観察したいという要求が非常に強い。保護膜を付けた状態での超LSI表面の凹凸は、保護膜の無い配線が露出した場合に比べてかなりなだらかな凹凸となっている。このため、観測したSEM画像の形状コントラストは劣化する。また、動作中の超LSIで観測したSEM画像では、コントラストは主に内部電極電位の変化による電位コントラストとなる。この電位コントラストも保護膜の存在により内部配線形状からにじんだ(劣化した)コントラストとなる。ここで、もし保護膜の存在によりコントラストの劣化したSEM画像を、コントラストの明確な真のSEM画像と装置関数(点拡がり関数)のコンボリューションであると近似できれば、画像処理技術の復元手法を用いて画質の改善が期待される。これにより、配線形状が明確になり、電子ビームプローブの位置決めの的確化、電位コントラスト抽出の容易化、等が可能となる。本研究では、装置関数をガウス分布で近似し、画像復元手法を用いて保護膜により劣化したSEM画像の画質改善を試みる。
1994-09-26