ゾル・ゲル法によるSiO_2薄膜の合成と分子構造解析
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概要
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ゾル・ゲル法でSiO_2薄膜を作製し,膜厚,耐ふっ酸エッチング性,ビッカース硬度など膜の性能,および分子構造に及ぼす熱処理の効果を調べた.その結果,熱処理温度が高いほど,膜の耐エッチング性,硬度は向上するが,これは膜のち密性,および膜中の水分量に関連していることがわかった.^<29>Si固体核磁気共鳴(^<29>Si固体NMR),ラマン分光法による分子構造解析から,熱処理温度の上昇によって,溶液反応で生成した屈曲した不安定なSi-O-Si結合が切断され,直線的で安定なSi-O-Si結合に再結合することがわかった.膜中の直線的なSi-O-Si結合が多いほど,膜の硬度,およびち密性が向上する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-12-25
著者
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