銅のセルフスパッタとその埋込み特性

概要

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アルゴンを用いることなく,スパッタされた原子自身を放電維持用に用いるセルフスパッタによる成膜技術が研究されている.この研究では,VIA埋込みをねらって4インチ平板マグネトロンによる銅のセルフスパッタを行いその特性と埋込みについて調べた.放電電流7〜10Aという高電流が必要で,基板-ターゲット間距離60mmで4μm/minという高速が得られる.放電自続の条件も明らかとなった.埋込み特性では,入口径0.6μm,深さ1.2μm,アスペクト比2の穴に対し,0.2μmの薄い膜ではボトムカバレージβ=100%,1.2μmの厚い膜では50%が得られた.βは,α=(基板-ターゲット間距離)/(***ージョンセンタリング半径)が2より大きいと急激に増加すること,セルフスパッタでは増加後100%で飽和するのに対し,通常のスパッタに用いられる3×10^<-1>Paでは,βは飽和後低下すること等がわかった.βは,スパッタ圧力の増加・膜厚の増加・基板ホルダ上のセンタから外への距離の増加により,低下することもわかった.
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-05-25