スイッチトキャパシタ高次イミタンスシミュレーション回路の一構成法
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概要
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スイッチトキャパシタ(以下SC)による素子のレベルでのシミュレーションは主としてインダクタンスが中心であり,アナログフィルタで近年広く研究されている高次イミタンス素子のシミュレートについては報告が少ないようである.本論文においては,非接地の周波数依存性負性抵抗(FDNR)および周波数依存性負性インダクタンス(FDNL)についてそれぞれ2種類の回路を双1次変換に基づいて構成し,SD回路解析プログラムSWITCAPによるシミュレーション結果を理論値と比較し完全な一致を見た.また,個別部品による実験結果も示し,理論値と一致していることを確認した.回路は能動素子として構成の簡単なUGB(単位利得バッファ)を用いており,制御クロックも2相と単純である.また,素子値を決定する1個の容量を除いては特性に影響の大きい基板側電極の寄生容量の影響を受けない特長がある.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-12-25
著者
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