MOSFETにおける低周波ランダム・テレグラフ雑音および1/f雑音の挙動(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
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概要
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MOSFETの低周波雑音には、界面トラップにキャリアが出入りするために生じるRTS(ランダム・テレグラフ・シグナル)雑音と、チャネルが形成されるシリコン結晶の格子散乱に起因する1/f雑音がある。これらはメカニズムが全く異なるため、両者を明確に区別することが重要である。RTS雑音と1/f雑音の相対的な強度の比率は、MOSFETのチャネル寸法とゲートバイアス条件によって変化する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-08