InAs量子ドットを介した共鳴トンネリングのフォトルミネッセンス解析
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概要
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InAs量子ドットが埋め込まれた薄いAlGaAs障壁をもつGaAs/AlGaAs/GaAsトンネルダイオードを用いて、単一量子ドットを介した電子の共鳴トンネリングの顕微フォトルミネッセンス解析を行った。ダイオードに電圧を印加し、電子を共鳴トンネル注入することにより、量子ドットに起因する鋭い発光線が観測された。単一発光線スペクトルの電圧依存性を調べたところ、発光強度は3次元-0次元共鳴トンネリングにおける電流-電圧特性と同様な特性を示した。発光エネルギーは電圧の増加に伴いレッドシフトを示し、量子閉じ込めシュタルク効果の存在を示した。さらに、発光線幅は、電圧の増加に伴い増加するとともに、高い発光エネルギーをもつ発光線ほど広い線幅を持っていた。これらの結果は、計算した共鳴準位幅とよく一致した。発光線幅から、共鳴状態の寿命は2.4-27psと見積もられた。
- 2000-05-12
論文 | ランダム
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