多結晶シリコン薄膜形成過程の分光エリプソメトリーによるその場観察 : 原子状水素による結晶化過程の解明
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
フッ素系前駆体を用いるHR-CVDにおいて、極薄膜の推積と原子状水素処理を交互に繰り返すLayer-by-Layer法により、多結晶シリコン薄膜-ガラス基板界面付近の結晶性を効果的に改善した。分光エリプソメトリーによる成膜過程のその場観察を行い、原子状水素処理に伴う成長表面での結晶化過程について詳細に検討した。原子状水素処理により、成長表面近傍の4nm厚程度の領域でアモルファス相から結晶相への相変化、すなわち固相成長が起こる。その結晶化過程は、様々な作製条件により影響を受ける非平衡過程である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-10-20
著者
関連論文
- ガラス基板上に低温成長させた多結晶シリコン薄膜の構造に与えるハロゲンの影響
- 光に関する Q & A(おもしろい光化学 : 基礎から応用まで)
- 1)アモルファス・シリコン系アロイの光導電性(テレビジョン電子装置研究会(第125回))
- アモルファス・シリコン系アロイの光導電性
- 産業のパラダイムシフトをめざす産学官連携
- 水素化アモルファスシリコンの新製膜法
- 恩師, 川俣正一先生を偲んで
- NEDO国際共同研究におけるアモルファス半導体の研究
- 光伝導効果とその応用
- ジクロロシランからのシリコン薄膜の形成
- 多結晶シリコン薄膜形成過程の分光エリプソメトリーによるその場観察 : 原子状水素による結晶化過程の解明
- アモルファス半導体国際会議 (ICAS-15) 報告
- 30a-W-10 化学アニーリングで作製したa-Si:H膜のEXAFS及びRaman分光法による構造解析
- 化学アニ-リングによるシリコン網目構造形成反応制御
- 化学反応制御法によるSi網目構造形成--アモルファス・微結晶・エピタキシ-
- 電気を使って絵を出す材料(化学への招待)
- 大学が新産業創造に貢献するためには何が必要か
- a-Si:Hのキャリヤ移動度 (アモルファス物質-2-(特集号)) -- (アモルファス半導体)
- a-Si:H作製過程の"化学アニ-リング" (アモルファス半導体と新材料) -- (トピックス)
- 東京工業大学における産官学連携の新しい取組 : フロンティア創造共同研究センターの設立
- 産学連携の新しい潮流としてのTLO
- ナロ-バンドギャップ材料 (四配位アモルファス半導体のバンドギャップ制御(技術ノ-ト))
- アモルファス半導体 (21世紀を支えるエレクトロニクス新素材)
- アモルファス・シリコン膜の光導電性の評価
- 3)アモルファス・シリコン膜の光導電性の評価(テレビジョン電子装置研究会(第119回))
- Time-of-Flight法による光導電性の評価