選択Al CVD配線形成技術
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概要
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本稿では、DMAH[(CH_3)_2AlH]とH_2を用いた選択Al CVD技術による単結晶Al選択成長、選択・非選択成長制御によるコンタクトホール完全平坦化堆積、選択成長メカニズムとして筆者らの提案している「表面電気化学反応」モデル、さらに微細MOSFETの寄生抵抗低減への応用について述べる。選択AlCVD技術は超LSIの配線形成技術のみならず、微細MOSFETのゲートやソース, ドレインの寄生抵抗の低減に有効であることを述べる。
- 1994-08-18
論文 | ランダム
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