酸窒化トンネル酸化膜を用いる高信頼性フラッシュEEPROMの検討
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概要
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本研究では、トンネル酸化膜の形成方法として、新たに重い酸窒化(RTONO)方法を提案し、微細フラッシュEEPROMに適用した。その結果、V_tウインドウの狭まりが6%以下となる極めて良好な書き込み,消去(P/E)繰り返し特性を得ることに成功した。それに加えて、良好な書き込み/消去特性が得られた。二次イオン質量分析(SIMS)測定を行った結果、RTONO膜では10^20>原子/cm^3以上の高濃度の窒素原子が混入していることが確認された。さらに、膜中の水素原子が減少することも確認できた。これらの結果よりP/Eストレスを繰り返してもRTONO膜では、捕獲電荷量が増加しないものと考えられる。したがって、このRTONO技術は、0.5μm以下のフラッシュEEPROMの高信頼性化において重要な技術となるものと考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-05-28
著者
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