Deep UV ハーフトーン型位相シフトマスクにおける位相シフト量と透過率の影響
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概要
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Deep UVハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、位相シフト量と透過率の設計値からのずれが露光特出に及ぼす影響を調べた。L/Sパターンでは焦点深度が位相シフト量・透過率によりほとんど変化しないことから十分制御可能であることが判明した。また、ホールパターンでは位相シフト量が180°で最大の焦点深度をとり、180°からずれるとともに焦点深度の減少がみられたが、23°の位相のズレにおいても、0.25mmホールにおいて1μm以上の焦点深度を得ることは可能であった。そして、透過率変化に対しては焦点深度に大きな変化はないが、最適なマスクバイアスが変化することが判明した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-10-19
著者
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伊藤 正光
(株)東芝 研究開発センター Ulsi研究所
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姜 帥現
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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姜 帥現
(株)東芝 研究開発センター ULSI研究所
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桜井 秀昭
(株)東芝 研究開発センター ULSI研究所
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東川 巌
(株)東芝 研究開発センター ULSI研究所