i-C_4H_<10>/N_2スーパーマグネトロンプラズマを用いた導電性硬質カーボン(DLC)膜の形成
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
スーパーマグネトロンプラズマCVD装置を用いて、導電性硬質カーボン(DLC)膜の成膜を試みた。イソブタン(i-C_4H_<10>)とN_2の混合ガスを原料として、熱酸化Si基板上にDLC膜を堆積させ、その堆積速度、硬度、抵抗率を調べた。上下電極に位相差180°の同一周波数(13.56MHz)の高周波電力を供給した。N_2ガス濃度70%、全ガス圧力50mTorr、カソード温度80℃、高周波電力900W/900Wを供給したとき、1.7×10^3Ω・cmの低抵抗膜が得られた。このときの堆積速度は約2300Å/min、硬度は約1700kg/mm^2であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-11-01
著者
関連論文
- アバランシェ増幅型センサの動作モード : 電子装置 : 画像表示(画像デバイス)
- 導電性ダイアモンド状炭素膜を被覆した微小電子源の電子放出特性
- 2-1 堆積ボルカノ型エミッタの電子放出特性
- 紫外線照射による大気中におけるa-CN_x:H膜の酸化(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 紫外線照射による大気中におけるa-CN_x:H膜の酸化(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 紫外線照射による大気中におけるa-CN_x:H膜の酸化(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- スパッタ法によるa-C膜を用いたEL素子の作製
- 導電性硬質カーボン(DLC)膜のスーパーマグネトロンプラズマCVD及び膜質分析
- i-C_4H_10/N_2スーパーマグネトロンプラズマによる導電性DLC膜の作製
- 9)アバランシェ増幅型センサの動作モード(〔テレビジョン電子装置研究会画像表示研究会〕合同)
- フィールドエミッタに適応する導電性ダイヤモンド状アモルファス炭素膜の作製
- i-C_4H_/N_2スーパーマグネトロンプラズマを用いた導電性硬質カーボン(DLC)膜の形成
- N_2添加O_2スーパーマグネトロンプラズマによるクォーターミクロンレジストパターンのエッチング形状制御
- スーパーマグネトロンプラズマCVD法作製DLC膜の物性評価
- 高均一・高密度O_2スーパーマグネトロンプラズマの発生とレジストの超微細エッチング
- スーパーマグネトロンプラズマエッチング装置の開発とSiO_2膜の高速エッチングへの応用
- リング状永久磁石を用いたマグネトロンエッチング装置の開発