超高密度記録のための相変化チャンネルトランジスタの可能性 : 1つのトランジスタで、メモリ格納とスイッチオンオフ制御(新型不揮発性メモリー)

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概要

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本報告では、相変化材料を用いた新しいメモリトランジスタを提案し、超高密度用相変化チャンネルトランジスタメモリセルの可能性を実証した。埋め込み型のゲート電極を持った相変化チャンネルトランジスタを試作した。相変化チャンネルは、約50nm厚のGeSbTeスパッタ層を用いた。トランジスタのチャンネル長は約2μmである。また、ゲート電極幅は約1μmである。試作試料の基礎特性を測定した結果、(1)ソースドレイン通電加熱により、相変化メモリ機能および(2)ゲート電圧によりチャンネル電流制御機能が確認された。これにより、相変化チャンネルトランジスタが不揮発性をもつ1トランジスタメモリセルの可能性があることが分かった。
2004-03-10

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