EuドープGaNの成長と光学特性 (<小特集>窒化物・青色光半導体)

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概要

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アンモニアを窒素源とした分子線エピタキシ法によりEuドープGaNを成長し、その光学特性を調べた。Eu濃度約2%まで単結晶成長が可能で、フォトルミネセンス(PL)スペクトルにおいて622nm付近にEu^<3+>イオンの5^D^<0-7>F^2遷移による赤色発光のピークを観測した。この赤色発光は励起スペクトルより母体励起による発光であることが分かり、注入型発光素子の活性層材料として用いることができることが分かった。赤色発光ピーク位置と強度の温度依存性は、バンド端発光に比べ2桁程度の安定性があることからEuドープGaNが新しい発光素子材料として期待される。
2001-06-08

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