有機ポリシロキサンターゲットを用いたPLD-SiO_2薄膜の酸素ガス圧依存性
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概要
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有機ポリシロキサンのArFエキシマレーザーアブレーションによって、SiO_2薄膜を室温で製作した。側鎖の開裂はレーザーフルエンスに依存し、10 J/cm^2のとき主鎖の(Si-0)_nのみが対向基板上に膜堆積した。さらに成膜雰囲気を酸素ガスとし、そのガス圧を変化させた時の膜のSi-0-Si結合および膜中への炭素混入について調べた。その結果、膜の透過率は波長500nmで約95%(膜厚400nm)を示し、屈折率は1.416(波長633nm)となった。膜の抵抗率も107Ωm以上を示した。X線光電子分光分析より、膜のSi 2p結合はSi0_2であることが判明した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-06-08
著者
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