ダイヤモンド薄膜MiS-LEDからの紫外線発光
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ダイヤモンドはバンドキャップ5.47eVの半導体で、カソードルミネッセンスでは可視から紫外域にかけて多種類の発光が報告されている。したがって、紫外線発光デバイスへの応用も期待できるが、これまで成功例はなかった。我々は、高濃度ボロンドープダイヤモンドが有する248nm(5.00eV)の発光に着目し、発光ダイオード(LED)の作製を試みた。その結果、金属/真性半導体/半導体(MiS)構造のLEDにおいて246nm(5.04eV)の紫外線を室温で発光させることに成功した。同時に可視光の発光も観測された。また、発光強度は電流に比例して増加することがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-06-23
著者
-
小橋 宏司
(株)神戸製鋼所
-
宮田 浩一
神戸製鋼所電子技術研究所
-
小橋 宏司
(財)ファインセラミックスセンター Fct研究本部
-
横田 嘉宏
(株)神戸製鋼所電子技術研究所
-
橘 武史
(株)神戸製鋼所電子技術研究所
-
林 和志
(株)神戸製鋼所電子技術研究所
-
宮田 浩一
(株)神戸製鋼所電子技術研究所
-
井上 憲一
(株)神戸製鋼所電子技術研究所
-
横田 嘉宏
(株)神戸製鋼所 技術開発本部
-
井上 憲一
神戸製鋼所
関連論文
- ダイヤモンドへの内部電極の形成とそれを用いた電子放出素子 : エミッタ電極のセルフアライン加工
- ダイヤモンドの高度な反応性イオンエッチング
- 単結晶ダイヤモンドの電子デバイス応用のための微細突起加工
- ビームライン:ダイアモンド光位置モニタ
- ダイヤモンド薄膜による半導体材料ガスの検知
- ダイヤモンド薄膜MiS-LEDからの紫外線発光
- ダイヤモンド薄膜のヘテロエピタキシャル成長
- 多結晶ダイヤモンド薄膜の熱処理効果と金属/真性半導体/半導体構造ダイオ-ドの製作 (ダイヤモンド薄膜)
- 大口径基板上ダイヤモンド薄膜の形態制御
- ナノ構造単結晶ダイヤモンドの精密加工
- 技術解説 ダイヤモンドの高度ドライエッチング技術の開発
- 白金上のヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜の合成と応用
- ダイヤモンド薄膜のヘテロエピタキシャル成長 : 高配向膜および融合膜
- 新谷法による白金上のダイヤモンド・ヘテロエピタキシャル成長
- 半導体ダイヤモンドのオ-ミック電極材料 (半導体デバイスにおけるコンタクト材料)
- 気相成長ダイヤモンド
- ダイヤモンド薄膜の光素子応用でナノスケール技術を革新する : ダイヤモンド薄膜の光学分野への応用
- 28p-E-2 ダイヤモンドのサーモルミネセンス(IV)
- ダイヤモンド薄膜合成とプラズマ発光 (プラズマ・ビ-ム技術特集)
- ダイヤモンド薄膜の合成加工技術 (ダイヤモンド薄膜)
- ダイヤ薄膜の電子デバイスへの応用 (電子材料・部品)
- プラズマCVDによるダイヤ状炭素薄膜とダイヤ薄膜の合成 (表面処理・表面改質特集)
- ダイヤモンド砥粒の評価(8)
- ダイヤモンド砥粒の評価(7) : カソードルミネッセンスI
- 27p-D-8 ダイヤモンドのサーモルミネセンス(III)
- 3a-W-4 ___
- 2p-N-11 ダイヤモンドのサーモルミネセンス
- 29p-L-9 13.56MHz重イオンRFQ加速器の開発
- 48 マイクロ波プロフィル計の実用化 : マイクロ波による高炉装入物プロフィル測定技術の開発 2(高炉計測・装入物分布とガス流れ・焼結操業, 製銑, 日本鉄鋼協会第 111 回(春季)講演大会)
- 47 マイクロ波プロフィル計の開発 : マイクロ波による高炉装入物プロフィル測定技術の開発 1(高炉計測・装入物分布とガス流れ・焼結操業, 製銑, 日本鉄鋼協会第 111 回(春季)講演大会)
- コンパクトマイクロプローブとその応用