電界配向高分子薄膜を導波路層として用いた集積化Q-スイッチNd^<3+>:YLFレーザの提案

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概要

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電界配向高分子薄膜を導波路に用いた, 電気光学効果によるQ-switch動作が可能な, 新規のモノリシック導波路レーザを提案し, その特性を数値計算により示した. 他のレーザ結晶と比べて低屈折率であるNd^<3+>:YLF結晶を基板として用いるため, 導波路に高分子膜を利用することが可能で, Nd^<3+>:YLFの長い蛍光寿命により効果的なQ-switch動作が可能である. 本論文では数値シミュレーションで最適導波路パラメータを決定し, 利得および電気光学変調の動作電圧を計算した. 導波損の影響も考慮し1dB/cmと比較的大きい損失のもとでも, 数mWの励起でレーザ発振が可能であることがわかった. またQ-switch用電気光学変調器として高分子膜の加工性を利用した方向性結合器構造を採用することにより, 100mWの励起光入力38.5Vの動作電圧でピークパワー0.46 kWのジャイアントパルスが得られることがわかった.
社団法人電子情報通信学会の論文
1997-11-25

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