半導体パッケージの高速・高周波化
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概要
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半導体パッケージの高速・高周波化にあたって、汎用パッケージの従来形態を活かし、内部構造に擬似同軸構造を用いた伝送線路を設けることを試みた。配線長の意味、パッケージ構造、伝送線路の質を検討し、さらにはグランド強度、擬似同軸における共振の問題をとらえ、フラットリードパッケージの改造を行った。その結果72ピンフラットパッケージではS_21>≧-1dB、S_11>≧-15dB(at 10GHz)、光用メタルパッケージではS_21>≧-1dB、S11≧-15dB(at 10GHz)、マイクロ波セラミックフレームパッケージではS_21>≧-1dB、S11≧-15dB(at 22GHz)の入出力端子部特性が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-10-24
著者
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