異なる非線形効果を用いたS-band増幅と波長変換技術
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概要
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1480nm帯の高出力半導体レーザーダイオードはS-band帯をパラメトリック増幅で、C-band帯をEDFAで、L-band帯をRaman増幅で光増幅するためのポンプ光になり得る。本研究では1個の1480nmLDを用い3-band同時増幅を確認した上でS-bandのパラメトリック増幅および波長変換に関しての効率増加を目指した検討を行った。その結果、ラマン増幅とパラメトリック増幅を組み合わせによりS-band帯域で最大18dBのゲインと、20nmの波長変換帯域を得る事ができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-04-13
著者
-
赤坂 洋一
古河電気工業株式会社
-
Wong K.Y.
Stanford University
-
Ho M-C.
Stanford University
-
Marhic M.E.
Stanford University
-
Kazovsky L.G.
Stanford University
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