ラビングレス高分子膜表面における液晶分子配向のメモリ効果
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概要
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ラビングを行っていない高分子配向膜を有する液晶セルでは、強いメモリ効果と弱いメモリ効果の2種類のメモリ効果が観察される。ここでは、PVA及びPI配向膜を用いてこのようなメモリ効果の時間依存性を調べた。液晶の注入時に形成される分子配向状態は、PVA配向膜の場合には室温で数時間後に安定化することが明らかとなった。この安定化速度は、同じ温度で比較するとPIの方が非常に速く、またいずれの膜でも高温になるほど速くなることがわかった。強いメモリ効果のこのような時間変化に対して、弱いメモリ効果は時間とともに消えてゆく様子が見られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-10-24
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