単一磁束量子型回路に適合するジョセフソンメモリセルの提案
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概要
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超伝導のジョセフソン素子は動作の高速性と低消費電力性から, デジタルデバイスとしての優れた可能性を示している。従来, 多くの超伝導集積回路がラッチング回路方式を用いて試作されてきた。一方, 情報担体として, 一磁束量子(SFQ)を用いる非ラッチ方式の回路も試みられてきた。高速, 低振幅のパルスを扱う困難さはあるが, さらなる低消費電力性が期待される方式である。近年, 高温超伝導体(HTS)での応用も考慮されて, 特に米国を中心にRSFQ回路の研究が盛んである。デジタル情報処理において, メモリ回路は論理回路と並んで重要な基本要素である。しかし, これまでRSFQ回路独自のメモリ回路は存在していない。それには, パルスによる一致選択の困難性などSFQ回路特有の問題があるからである。しかしながら, SFQ回路に適応するメモリ回路を実現することは, 今後重要となると考えられ, 本稿はそのための一提案である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
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