サブミクロンBP-SAINT GaAs MESFETのための拡張されたドリフト拡散モデル
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概要
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高周波デバイス用のサブミクロンGaAs MESFETでは、電子の非定常輸送が顕著なため、バルク移動度を用いたドリフト拡散モデルに基づく設計・シュミレーションは適切ではなく、厳密なBoltzmann方程式の直接解法が必要とされる。集団モンテカルロ法(EMC)はその一つであるが、多量の計算量が必要である。ゲート長だけに単純に依存する実効的な飽和速度を使用する簡単な考えがあるが、非定常輸送下の電子速度と電界の関係は構造や動作条件により複雑変化するので、評定法と物理的意味に問題がある。本稿では、運動量とエネルギーの平衡方程式を用いて非定常効果によって様々に変化する実効的な速度-電界特性を近似的に評価し、それをドリフト拡散方程式にself-consistentに導入する方法(拡散されたドリフト拡散モデルと呼ぶことにする)を述べ、この方法を複雑な不純物分布を有するイオン注入BP-SAINT GaAs MESFETに適用した結果について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
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