LSI配線層平坦化の一手法

概要

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半導体集積回路の高集積化に伴い、LSI製造において3層を越える多層配線が用いられてきている。多層配線を形成する際に、下地の配線の有無により絶縁膜表面に凹凸が生じる。この凹凸は、上層配線の断線や、プロセス工程におけるパターン形成の解像度低下を生じさせる。従って、半導体プロセスの信頼性を確保するためには、多層化において配線層間の絶縁膜の平坦化が重要な技術となる。絶縁膜表面の平坦化法としては、1) エッチバック法(酸化膜上にレジストを塗布しエッチングする方法)、2) CMP(化学機械研磨法)などが用いられる。[1] しかし、これら技術を用いても配線間隔の疎密による段差が生じるため、補助手段としてさらに下地の配線間に補助パターンを設定して絶縁膜を平坦化する方法(平坦化パターン挿入法)が用いられる(図1)。本報告は、平坦化パターン挿入法について、問題の定式化をおこない、配線間の隙間に均等に平坦化パターンを生成する方法について概要を説明するものである。
社団法人電子情報通信学会の論文
1997-03-06