電気吸収型光変調器モジュールにおける周波数応答のバイアス電圧依存性の低減
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概要
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これまで, 我々は10 Gbps対応の光変調器モジュールを開発し, 基本特性が十分実用に供しうる特性を有していることを報告した。次世代の高速長距雛伝送システムにおいては, 信号パターン依存性の波形ひずみやジッタの少ない高品質な変調特性が要求され, 周波数応答のバイアス電圧無依存性や平滑性の実現が重要である。今回, 変調層とp-InPクラッド層の間に多層構造のパイルアップ防止層を導入し, その層構造を最適化をすることにより, 良好な特性が得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06