レーザアブレーションによるLiNbO_3結晶膜光導波路の作製と評価
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概要
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レーザアブレーションは有力なLiNbO_3(LN)結晶膜堆積法の一つであり、とくにSiやサファイア基板上へのヘテロエピタキシーにより新たなハイブリッドLN光ICの構成が期待できる。本稿では、ArFエキシマレーザアブレーションによるLN結晶膜堆積とその光導波特性ついて述べる。LiリッチLNターゲットを用いることにより、サファイアおよびLiTaO_3(LT)基板上にバルク結晶と同等のC軸配向性と屈折率を有するLN結晶膜が堆積できることを見出した。LT基板上に堆積したLN薄膜導波路の損失は波長633nmにおいて≧3dB, cmであり、電気光学定数r33=8pm/Vを得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-01-21
著者
-
春名 正光
大阪大学工学部電子工学科
-
西原 浩
大阪大学工学部電子工学科
-
西原 浩
大阪大学工学研究科
-
石月 秀貴
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
堤 潤
大阪大学工学部電子工学科
-
石月 秀貴
大阪大学工学部電子工学科
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