低電圧動作型Siフィールドエミッタ : 熱酸化シリコン絶縁層による電極間距離の短縮

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概要

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低電圧で電子放出を行うSiフィードエミッタを作製した。このエミッタでは、ゲート電極とカソード電極基板間の絶縁層として熱酸化シリコンを使用している。我々は、熱酸化により形成されたSiO_2絶縁層と斜め蒸着法を用いることにより、容易にエミッタとゲート電極間の距離を短縮することができた。このときの電極間距離は、初期マスクサイズ直径3μmに対し0.4μm程度であった。これにより、ゲート電圧が約10Vで電子放出を開始するエミッタを得た。1エミッタでのアノード電流は25Vで2.5μA程度、相互コンダクタンス(g_m=△I_A, △V_G)は0.5μSであった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1993-12-17

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