陽極酸化法による6H-SiCの犠牲酸化とショットキーダイオード特性
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概要
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n型6H-SiCのバルク結晶に対し、陽極酸化法により酸化膜の形成を試みた。電解液としてエチレングリコール、水、硝酸カリウムの混合液を用い6H-SiCを陽極として、定電流源により電圧を印加したところ、6H-SiC上に酸化膜の形成が確認された。酸化膜は純粋なSiO_2ではなく炭素等の不純物を含むが、フッ酸によりエッチングできた。陽極酸化膜の形成速度は熱酸化法によるものよりはるかに速いことがわかった。その陽極酸化を犠牲酸化法として用い、酸化膜をエッチングした後にショットキー電極を形成して犠牲酸化の効果を検証した。その結果、ショットキー電極特性に関しては熱犠牲酸化とほぼ同じ結果が得られた。
- 2001-05-18
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