Cl_2/N_2混合ガスによるInP結晶の低イオンエネルギーECRエッチング
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概要
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Cl_2, N_2混合ガスを用いたECRプラズマにより,InP結晶の垂直形状でしかも表面モフォロジーの良好な低イオンエネルギー(〜30eV)エッチングを実現した[エッチング速度:2000Å/min]。これらのエッチング特性は,解離した塩素と窒素の反応によって,プラズマ中のClラジカル密度が極端に制限された結果可能になったと考えられる。この結果は,InPのエッチングには高エネルギーイオン(数百〜数千eV)によるアシストが必ずしも必要ではないということを示している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-10-22
著者
-
服部 亮
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
-
服部 亮
三菱電機光・マイクロ波デバイス研究所
-
宮国 晋一
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
宮国 晋一
三菱電機光・マイクロ波デバイス研究所
-
佐藤 和彦
三菱電機光・マイクロ波デバイス研究所
-
佐藤 和彦
三菱電機
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