ストレスマイグレーションに起因する空孔の基本的な振る舞い
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概要
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半導体デバイスに使用される金属配線の信頼性の問題にストレスマイグレーションがある。これは、試料を高温放置することにより配線にボイドや断線を生じる現象である。本研究では、この現象のメカニズムの解明を目的として理論的な考察をおこなった。先ず、球形の金属試料の内部に球形のボイドが存在している試料を考え、ボイドと試料表面間における空孔の吸収と放出について理論的な考察をおこなった。次に、この金属試料に外部応力が印加された場合の空孔の振る舞いについて解析した。これらの解析の結果、ボイドの表面応力、試料の表面応力、そして、外部応力の相互関係により。ボイドや試料表面が空孔の吸収源や放出源になることを明らかにした。最後に、これらの結果をストレスマイグレーションに適応して現象のモデル化をおこなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-07-26