モリブデンシリサイド膜のステップカバレッジシミュレーション
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概要
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モリブデンシリサイドターゲットからの原子の放出角度分布を測定するとともに、モリブデンシリサイドスパッタ膜のステップカバレッジシミュレーションを行った。その計算にはアルミ膜のステップカバレッジの計算に広く用いられるストリングモデルを用いたが、原子の放出角度の効果を取り入れたので、段差(ステップ)周辺の膜厚の分布のみでなく組成の分布も計算された。MoとSiの放出角度分布の違いは、段差周辺の組成の平坦部の組成からのずれを引き起こすことを示した。例えば、外側を向いた段差の側壁はSi濃度が高く、内側を向いた段差の側壁はMo濃度が高い。また、溝や穴の底はSi濃度が高い。
- 1993-09-17
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