原子層エピタキシー法による CdS/ZnS フィボナッチ超格子の成長
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概要
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分子線エピタキシー(MBE)装置を用いた原子層エピタキシー(ALE)法はCdS/ZnS系においても超格子の成長においても極めて有効な方法であるため、この方法を代表的な準周期列に従ってCdS及びZnSが配列したフィボナッチ超格子の成長に適用した。成長した超格子は、X線回折パターンと膜厚値から(CdS)_4/(ZnS)_4と(CdS)_4/(ZnS)_8を単位とする第8世代フィボナッチ列に従ったものであった。これは超格子成長前に設計した値と一致しており、MBE-ALE法を用いることによって通常の周期的積層超格子と全く同様にして準周期系の超格子も設計通りに得られることが確認された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-29
著者
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