<112^^-0>面エピタキシャルZnO膜を用いたバルク横波トランスジューサ
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概要
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R面サファイア上には<112^^-0>面をもつエピタキシャルZnO膜が形成されるが、このZnO膜を用いて横波薄膜トランスジューサを作成しようとする場合には、R面サファイアとZnO膜の間に電極が必要とされる。しかし、電極の上に成膜されるZnO膜はc軸配向の多結晶薄膜となるため、従来<112^^-0>面をもつエピタキシャルZnO膜を用いた横波トランスジューサは実現できなかった。今回、筆者はR面サファイア上に<112^^-0>面をもつ低抵抗ZnO膜を成膜し、その膜を下地の電極代りとし、さらにその上にZnO膜を成膜したところ高抵抗の<112^^-0>面をもつエピタキシャルZnO圧電膜が得られた。これらのZnO膜上にアルミニウムの電極を形成することにより横波バルク波トランスジューサを実現した。
- 2002-01-17
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