Li_2B_4O_7基板におけるBGS波の伝搬特性とその周波数温度特性のSiO_2膜による改善
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概要
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Li_2B_4O_7基板におけるBGS波の伝搬特性を理論的,実験的に検討した.基板表面がc軸と平行で,伝搬方向がc軸と垂直の場合,位相速度が4915m, secと非常に高速なBGS波が存在する.このとき,レイリー波は,K^2が0であるため,励振されない.基板表面にAl膜を形成させると,変位の表面集中度が高くなり,位相速度が低下し,K^2が増加する.しかし,TCFはAl膜厚によってありま変化せず,約-50ppm/℃と比較的大きい.TCFを改善するために,SiO_2/Al/Li_2B_4O_7構造を検討したところ,計算では,Alの規格化膜厚が1%で,SiO_2の規格化膜厚が15%のときTCFがほぼ0となる.実際に,規格化膜厚が15.4%のとき,TCFが-5.4ppm/℃の測定値を得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-04-27
著者
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