CdS:N薄膜の作成と評価(電子部品・材料,及び一般)
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概要
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n形半導体である硫化カドミウム(CdS)に窒素をドーピングしたCdS:N膜を作成し、p形への電導形変換を試みた。窒素のドーピングにはNitrogen Ion Assisted Doping System (NIADS)を用い、蒸着法により試料の作成を行った。X線回折(XRD)、抵抗率、ホール効果、熱起電力測定、SEM像の観察により評価を行い、NIADSの効果について検討した。結果は、弱いながらもp形特性を示す試料が得られた。また、窒素ガス圧力5×10^<-1> Pa 以上、蒸着速度3〜5 Å/s、基板温度120〜180℃の条件で蒸着すると真性あるいは弱いp形特性を示す膜が得られることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-07-30
著者
-
柏葉 安兵衛
岩手大学工学部 電気電子工学科
-
千葉 茂樹
岩手大学工学部
-
杉山 浩司
岩手大学工学部電気電子工学科
-
佐藤 宏明
岩手大学工学部
-
武石 正敬
岩手大学工学部電気電子工学科
-
廣瀬 善隆
岩手大学工学部電気電子工学科
-
柏葉 安兵衛
岩手大学工学部
-
千葉 茂樹
岩手大学工学部電気電子工学科
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