真空紫外吸収分光法を用いた銅CVD放電中のH密度測定

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概要

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• H density in Cu CVD discharges using Cu(EDMDD)_2 has been measured by vacuum ultraviolet absorption spectroscopy, scince H atom irradiation is effective in reducing impurity concentration and surface roughness. The density of H atoms in H_2(100%) discharge increases linearly from 1.3×10^<11>cm^<-3> to 2.4×10^<11> cm^<-3> with increasing the main discharge power P_m from 30 W to 60 W. The density of H atoms in CVD discharge using C_6H_<14> or ECH as a solvent is about 1.0×10^<10> cm^<-3> for P_m=30-60 W, which is by more than one order of magnitude lower that that in H_2(100%) discharge.

• 九州大学の論文

著者

• 白谷 正治

  九州大学大学院システム情報科学研究院

• 白谷 正治

  九州大学大学院システム情報科学研究院電子デバイス工学部門

• 竹中 弘祐

  九州大学大学院システム情報科学府院電子デバイス工学専攻

• 鍛冶 昂男

  九州大学大学院システム情報科学府電子デバイス工学専攻

• 竹中 弘祐

  阪大接合研

• 竹中 弘祐

  九州大学大学院システム情報科学府電子デバイス工学専攻

• 竹中 弘祐

  大阪大学接合科学研究所

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