光イオン化中性粒子質量分析法による半導体中不純物の深さ方向分析(関東支部創立40周年記念)
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概要
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半導体デバイスの表面や界面に含まれる不純物の深さ方向分析には, 高い定量性と深さ方向分解能が必要である.著者らは, レーザーによるポストイオン化を用いた中性粒子質量分析法(SNMS)の研究を行った.シリコン酸化膜/シリコン界面に注入したAsの深さ方向分析を行った結果, 二次イオン質量分析法ではAs強度が酸化膜中で増大するのに対し, SNMSでは増大が見られず, 予想されるガウス分布に近い深さ方向プロファイルが得られた.又, シリコン表面近傍や, 多結晶シリコン/シリコン界面でのSNMSプロファイルにおいても, 表面や界面に存在する酸素の影響を受けなかった.本分析法は, 10nm以下の深さ方向分解能で, 定量的な深さ方向分析が行える手法である.
- 社団法人日本分析化学会の論文
- 1996-01-05