L1_0型規則合金の磁気光学Kerr効果の第一原理計算
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
The magneto-optical polar Kerr effect of L1_0-type ordered alloys TM-X (TM=Mn, Fe, Co, X=Pt, Au) was caluculated from the electronic structures given by the first-principles LMTO-ASA method. The calculated results agreed resonably well with the experimental results. The important optical transitions were clarified by detailed analysis of the electronic structures. For example, it was found that the peak structure at about 4eV in the Kerr spectra of L1_0-FeAu mainly originated from the d_↓→f_↓ transition on Au. In this transition, the final state Au(f_↓) is a small tail state hybridized with the unoccupied Fe(3d_↓) state. Thus, the transition can simply be expressed as the Au(5d_↓)→Fe(3d_↓) transition.
- 1998-11-01
著者
-
山口 正剛
日本原子力研究所 計算科学技術推進センター
-
浅野 攝郎
東京大学大学院 総合文化研究科
-
Kyuno Kentaro
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
弓野 健太郎
東京大学生産技術研究所
-
日下部 鉄也
花王素材研
-
Asano Setsuro
The Graduate School Of/college Of Arts And Sciences The University Of Tokyo
-
弓野 健太郎
Department Of Materials Engineering School Of Engineering The University Of Tokyo
-
弓野 健太郎
東大教養
-
日下部 鉄也
花王(株)素材プロセス研究所
-
浅野 攝郎
東大総合文化
-
山口 正剛
日本原子力機構
関連論文
- 日本原子力研究開発機構・システム計算科学センター・シミュレーション技術開発室研究紹介(ラボラトリーズ)
- Study of La Concentration Dependent V_ Shift in Metal/HfLaOx/Si Capacitors
- Roles of Excess Atoms in Electronic and Magnetic Properties of Fe_V_Z (Z = Al, Ga)
- High Spin Polarizaion of Ferrimagnetic Heusler-type Alloys in Mn-Cr-Z System (Z=IIIb, IVb, Vb Elements)(Condensed matter: electronic structure and electrical, magnetic, and optical properties)
- 15a-R-1 LaNi、CeNiの電子構造とフェルミ面
- 29a-R-11 PrNi, NdNiの電子構造とフェルミ面
- 28a-M-17 NdIn_3の電子構造とフェルミ面
- 27a-M-10 CeNiのフェルミ面に対する非マフィンティン補正の影響
- High spin polarization of ferrimagnetic half-Heusler compounds FeCrZ and MnYZ (Y = Mn, Cr ; Z = 3b, 4b, 5b elements)
- Au/(Fe-Co)の人工格子の垂直磁気異方性
- 28aPS-103 小さい磁気モーメントと高スピン分極率を持つホイスラー合金(28aPS 領域3ポスターセッション(スピントロニクス・フラストレーション系・実験技術),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 19pRB-5 電子構造と材料開発(領域3,領域5合同シンポジウム 先端スペクトロスコピーが解き明かす遍歴電子磁性-新奇物性と応用への展開-,領域5,光物性)
- 18aPS-70 Ni_2YZ(Y=Cr,Mn,Co,Fe、Z=Ga,Ge)におけるY原子のサイト選択性と磁化(18aPS 領域3ポスターセッション(磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 19pRB-5 電子構造と材料開発(19pRB 領域3,領域5合同シンポジウム 主題:先端スペクトロスコピーが解き明かす遍歴電子磁性-新奇物性と応用への展開-,領域3(磁性,磁気共鳴))
- Electronic Structure and Structural Transformation of Co_Ni_Al (x = 0, ±1/2)
- Electronic Structure and Magnetic Properties of Ferromagnetic Shape Memory Alloys CoNiAl
- Antiferromagnetism and Atomic Disorder in Fe_2 VSi (Condensed Matter : Electronic Structure, Electrical, Magnetic and Optical Properties)
- 29aPS-46 Fe_V_Z (Z=Al, Ga) の電気・磁気的性質における過剰原子の役割
- 29aPS-46 Fe_V_Z (Z=Al, Ga) の電気・磁気的性質における過剰原子の役割
- 強磁性規則合金中の非磁性元素におけるMCDスペクトルの第一原理計算
- 27pPSA-3 形状記憶台金Ni_Mn_Ga薄膜の構造相転移と電子構造
- 27pPSA-2 形状記憶台金Ni_2MnGaをFe,Coで置換した系の構造相転移と電子構造
- 27pPSA-1 Ni_2(Pd_Mn_)Gaの構造相転移とPdのサイト選択性
- 形状記憶合金Ni_2MnGaのマルテンサイト構造
- Ni_2(Pd_Mn_)Gaの構造相転移と電子構造
- 強磁性体中の非磁性元素におけるMCDスペクトルの第一原理計算
- Co_2YZにおけるCoモーメントのY,Z原子依存性
- Performance and Degradation in Single Grain-size Pentacene Thin-Film Transistors
- Field-Dependent Mobility of Highly Oriented Pentacene Thin-Film Transistors
- 粒界凝集エネルギーの第一原理計算 : bcc FeΣ3(111)粒界における溶質元素の偏析と脆化および強化効果
- Suppression of Leakage Current and Moisture Absorption of La_2O_3 films with Ultraviolet Ozone Post Treatment
- Thermally Robust Y_2O_3/Ge MOS Capacitors
- Moisture Absorption-Induced Permittivity Deterioration and Surface Roughness Enhancement of Lanthanum Oxide Films on Silicon
- 薄膜形成プロセスのコンピューターシミュレーション法
- 25p-N-2 Fe/Cr人工格子の電子状態の計算
- (Co-Ni)/Pd多層膜の垂直磁気異方性と磁気光学効果に関する研究
- Design Methodology for La_2O_3-Based Ternally Higher-κ Dielectrics
- A New Hf-based Dielectric Member, HfLaOx, for Amorphous High-k Gate Insulators in Advanced CMOS
- Generalized Model of Oxidation Mechanism at HfO_2/Si Interface with Post-Deposition Annealing
- Dielectric Constant Increase of Yttrium-Doped HfO_2 by Structural Phase Modification
- Far Infrared Study of Structural Distortion and Transformation of HfO_2 by Introducing a Slight Amount of Si
- Stable Observation of the Evolution of Leakage Spots in HfO_2/SiO_2 stacked structures by UHV-C-AFM
- Difference between O_2 and N_2 Annealing Effects on CVD-SiO_2 Film Quality Studied by the Time-Dependent OCP Measurement
- Advantages of Ge (111) Surface for High Quality HfO_2/Ge Interface
- New Method for Characterizing Dielectric Properties of High-k Films with Time-Dependent Open-Circuit Potential Measurement
- 24aW-13 FIMによるPtクラスターの表面拡散挙動の直接観察
- 30p-N-1 FIMによるPt(111)上のステップエッジバリアの測定
- 29p-PSB-49 CeScGeの電子構造と磁性
- 29p-PSB-16 形状記憶合金 Ni_Mn_Ga の電子構造と構造相転移
- 26p-PSA-8 ハーフメタリック化合物CrO_2の電子構造
- 25a-PS-113 RMg_2Ni_9(R=rate earth)の電子構造と磁性
- 25a-PS-95 形状記憶合金Ni_MnGaの電子構造と構造相転移
- 25a-PS-94 Fe_N_2薄膜の電子構造と磁気的性質
- 25a-PS-86 Fe_V_Z(Z=Al, Ge)の電子構造と電気的、磁気的性質II
- Perpendicular Magnetic Anisotropy of Metallic Multilayers Composed of Magnetic Layers Only: Ni/Co and Ni/Fe Multilayers
- First-Principles Calculation of the Magnetic Anisotropy Energies of Ag/Fe(001) and Au/Fe(001) Multilayers
- Theoretical Study on the Magnetocrystalline Anisotropy of X/Co (X=Pd,Pt,Cu,Ag,Au) Multilayers
- PtMnSb, MnBi, MnPt_3の磁気光学Kerrスペクトルの第一原理計算
- 22pE-12 Mn_TM_xPt_3(TM=Fe,Co)合金の磁気光学効果の第一原理計算
- 5p-PSB-45 Fe_V_Z(Z=Al, Ga)の電子構造と電気的, 磁気的性質
- 29a-PS-36 第一原理計算による金属人工格子の垂直磁気異方性の面方位依存性
- 28a-PS-43 第一原理計算によるPd/Co人工格子の磁気異方性の歪依存性
- 第1原理計算による金属人工格子の垂直磁気異方性に関する研究 (知的材料設計)
- シミュレーションによる材料開発
- Spin Arrangement and Electronic Structure of Mn_3MC(M=In and Sn)
- Search for Half-Metallic Compounds in Co_2MnZ (Z=IIIb, IVb, Vb Element)
- A Half-Metallic Band Structure and Fe_2MnZ (Z=Al, Si, P)
- Spin Arrangement and Electronic Structure of Mn_3GaX (X=C and N)
- ハーフメタリックCo_2MnZ(Z=Si, Ge)薄膜
- 31p-PSA-66 C1b構造をもつハーフメタリック化合物の探査
- 3p-PSA-51 強磁性Fe_2MnZ(Z=Al, Si, P)のバンド構造
- 3p-PSA-50 RuMnX(X=Ge, Si)の電子構造と磁性
- 3p-PSA-49 CrMnp(M=Fe, Ni, Co)の電子構造と磁性
- 31a-YQ-8 Fe_2MnSiにおけるキャントしたスピン状態に対する計算
- MnPt_3, PtMnSb, MnBiの磁気光学Kerr効果の第一原理計算
- L1_0型規則合金の磁気光学Kerr効果の第一原理計算
- 25a-YH-11 遷移金属合金・多層膜の磁気光学Kerr効果の第一原理計算III
- L1_0型規則合金の磁気光学Kerr効果の第一原理計算
- 25p-N-1 Co系金属超格子の垂直磁気異方性エネルギーの第一原理計算(II)
- 30a-PS-17 Co系金属超格子の垂直磁気異方性エネルギーの第一原理計算
- 30a-APS-38 Co系金属超格子の垂直磁気異方性の物理的起源
- Deep Potential Effect on Magnetism of Binary Including Spintronic Material
- Band Calculation of Manganese Magnetic Moments in Ni_2MnGa 14M Structure
- 25p-N-3 LMTO法によるFe, Co, 超格子Co/Pt系の光電気伝導度の数値計算
- 31a-YQ-9 侵入型希土類化合物の磁性
- 31p-R-4 侵入型希土類化合物の電子構造の計算II
- 30p-L-1 R_2Fe_X(R=Gd, Y;X=B, C, N)の電子状態のFLAPW法による計算
- 強磁性金属における磁気光学Kerrスペクトルの第一原理計算
- 28pTH-5 凝集現象を用いた自己組織化ナノドット薄膜の作製(28pTH 表面界面構造(金属),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 30a-X-12 遷移金属合金・多層膜の磁気光学Kerr効果の第一原理計算II
- 8a-YH-7 遷移金属合金・多層膜の磁気光学Kerr効果の第一原理計算
- FIMによるステップエッジバリアの測定--原子レベルでの薄膜結晶成長機構の解明を目指して
- 金属多層膜, 希土類 : 遷移金属化合物の結晶磁気異方性の第一原理計算
- 23pPSA-13 凝集現象を用いた自己組織化Agナノドット薄膜の微細構造制御(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aGQ-1 BCC金属空孔と水素の結合エネルギーおよび安定構造(21aGQ 格子欠陥・ナノ構造(エネルギー材料・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 21aRC-1 凝集現象を用いた自己組織化金属ナノ構造薄膜の作製(21aRC 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- R_2Fe_, R_2Fe_N_3(R=Y, Gd)のFLAPW法による計算
- 希土類-遷移金属化合物の3d磁気異方性エネルギーの計算II
- 31p-PSA-67 希土類-遷移金属化合物の3d磁気異方性エネルギーの計算
- 4a-PS-2 侵入型希土類遷移金属化合物の電子構造の計算 4