22pA6 シリコン単結晶の高温でのヤング率の測定と熱応力計算(バルク成長シンポジウム)
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概要
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Young's modulus of silicon single crystal was measured in the range from room temperature to 1000℃. The modulus was calculated from the resonance frequencies in the flexural mode of vibration. Young's modulus in high temperature did not decrease so much as expected. The dependency of Boron concentration was also investigated and found to be very small in this temperature range.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1999-07-01
著者
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小野 直樹
三菱マテリアル
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小野 直樹
三菱マテリアル(株)
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北村 浩之介
三菱マテリアル(株)シリコン研究センター
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中嶋 健
三菱マテリアル(株)シリコン研究センター
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小野 直樹
三菱マテリアル(株)シリコン研究センター
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