結晶および融液状態におけるシリコンの熱伝導特性(<特集>バルク成長(II))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• Two typical measurements of the thermal conductivies of crystalline and melt silicon were reviewed. Shashkov and Grishin determined them from the heat balance at the crystallization front in the Czochralski method. Yamamoto et al. measured by a laser flash method, and deter-mined the thermal conductivies of the crystal and the melt silicon at the melting point to be 27.3±0.3 and 56±1 W/mK, respectively. They also reported an anomaly at melting. In the present study, the formula for the thermal conductivity of silicon crystal in the temperature range from 300 K to the melting point were derived on the basis of the data measured by Yamamoto et al. and the thermophysical properties.

• 日本結晶成長学会の論文
• 1992-06-15

著者

• 山本 勝弘

  東芝セラミックス 開研

関連論文

• CZ法におけるリメルトと欠陥発生 : シンポジウムI
• Si含浸SiC材の高温破壊強度特性とその統一的評価
• 結晶および融液状態におけるシリコンの熱伝導特性(バルク成長(II))
• 123 Si含浸SiC材の高温破壊強度特性とその統一的評価(金属およびセラミックスの高温強度)

スポンサーリンク