分子動力学法によるGaAs結晶中の空孔と格子間原子の拡散挙動 : 結晶成長理論シンポジウム
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概要
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Molecular dynamics simulation was carried out to estimate the diffusion coefficient and the mechanism of diffusion with a constant pressure and temperature. The following results were obtained: (1) There is a little diffusion of a vacancy in solid GaAs. (2) The diffusion path of an interstitial arsenic atom is different from that of an interstitial gallium atom. (3) The diffusion coefficient of an interstitial arsenic atom is larger than that of an interstitial gallium atom.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2002-07-01
著者
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