無欠陥結晶成長技術 : シリコン(<特集>21世紀を担うバルク単結晶)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• We have developed the growth technology of grown-in defects free CZ silicon single crystals "Pure Silicon" and have produced them at the mass-production level since December, 1998. Pure Silicon is able to be grown by controlling axial and radial v/G in crystals where v is pulling rate, and G is the temperature gradient at the solid/liquid interface. Pure Silicon can improve dramatically performances and yield of devices because of free of grown-in defects such as COP, void defects, and nuclei of OISF which cause degradation of GOI, junction leakage, and isolation leakage. Pure Silicon is one of the most possible candidates for the future advanced devices even in the production of 12 inch wafers.

• 2000-07-15

著者

• 降屋 久

  三菱マテリアル(株) 中央研究所

• 朴 在勤

  漢陽大學先端半導体素材 素子開発研究所産業大學院

• 池澤 一浩

  三菱マテリアルシリコン株式会社生産本都結晶生産技術部

• 降屋 久

  三菱マテリアルシリコン株式会社生産本都結晶生産技術部

• 原田 和浩

  三菱マテリアルシリコン株式会社生産本都結晶生産技術部

関連論文

• 連続チャージ法によるシリコン単結晶の育成 : バルク成長シンポジウムII
• 27aA1 二重ルツボを用いたCMCZ法によるSi単結晶成長(バルク結晶成長シンポジウムI)(バルク結晶成長シンポジウム : バルク単結晶の新しい融液成長技術)
• 27a-N-3 CZシリコン中の酸素析出反応を利用した自己格子間原子の検出
• 無欠陥結晶成長技術 : シリコン(21世紀を担うバルク単結晶)
• シリコン単結晶中の成長時導入欠陥の形成挙動と電気特性への影響
• 連続チャージ型 MCZ 結晶に形成される結晶欠陥の制御 : バルク結晶成長シンポジウムII

スポンサーリンク