放射光を用いた全反射蛍光 X 線分析法によるシリコンウェーハ表面清浄度分析(表面分析)(<特集>分析評価・解析)
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概要
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The monitoring of surface cleanliness of silicon waters is very important. Total Reflection X-ray Fluorescence is expected to be highly sensitive for the ultra trace contaminants on the top surface. Synchorotron radiation is an appropriate X-ray source. This method was applied to relatively heavy elements such as Cr, Fe, Ni, Zn, which were suffused on silicon wafer surfaces by spin coating technique. This method has been found to have high quantitativeness and its minimum detection limits for those elements was found to be the order of 10^<11> atoms/cm^2. And this method was also found to be applicable to the real samples in the course of cleaning.
- 社団法人日本鉄鋼協会の論文
- 1991-11-01
著者
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林 俊一
新日本製鐵(株)先端技術研究所
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林 俊一
東京工業大学
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林 俊一
新日本製鉄(株)先端技術研究所
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橋口 栄弘
新日本製鉄(株)先端技術研究所
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橋口 栄弘
新日本製鐵(株)先端技術研究所
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橋口 栄弘
新日本製鉄 (株)
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